最新：AT93C46C-3线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）

电影达人

特征
?低压和标准电压操作
C50（VCC=45V至55V）
C27（VCC=27V至55V）
C25（VCC=25V至55V）
?3线串行接口
?施密特触发器，用于噪声抑制的滤波输入
?2MHz时钟频率（5V）兼容性
?自定时写入周期（比较大10ms）
?高可靠性
C耐久性：100万个写入周期
C数据保留：100年
CESD保护：4000V
?提供汽车级和扩展温度设备
?8引脚PDIP和JEDECSOIC封装
描述
AT93C46C提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为64个字，每个字16位。该设备针对许多和商业应用进行了化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。AT93C46C提供节省空间的8针PDIP和8针JEDEC封装。
AT93C46C通过芯片选择引脚（CS）启用，并通过由数据输入（DI）、数据输出（DO）和移位时钟（SK）组成的3线串行接口访问。在DI收到READ指令后，地址被解码，数据在数据输出引脚DO上串行锁定。WRITE周期完全自定时，在WRITE之前不需要单独的ERASE周期。仅当零件处于擦除写入启用状态时，才启用写入循环。当CS在WRITE循环开始后变为“高”时，DO引脚输出零件的READYBUSY状态。
AT93C46C有45V至55V、27V至55伏和25V至55V版本可供选择。
存储原理
AT93C46C的内部存储结构为电可擦除存储器。该器件使用门控浮动栅极技术，通过电压的变化来现数据的存储和擦除。每个存储单元有两个状态――“0”或“1”，通过改变其电状态来存储信息。
在写操作中，数据先通过SI输入，然后相应的存储单元将被选择并编程。编程过程中，浮动栅极上的电荷被重新排列，形成不同的存储状态。AT93C46C能够以字节为单位进行编程，这意味着在特定条件下，您也可以选择性地写入特定的存储位置。
在擦除操作中，AT93C46C会对整个存储区进行电擦除，使所有存储单元都回到其默认状态，这一过程相对较，并且可反复进行，具有良好的数据重写能力。
操作模式
AT93C46C提供不同的操作模式，主要包括读取模式、写入模式和擦除模式。这些模式使得用户能够灵活地对存储数据进行操作，根据际需求进行数据的存取和管道理。
-读取模式：在该模式下，用户通过发送特定的控制信号，能够准确地从指定地址读取数据。读取过程速高效，通常在数毫秒内完成。数据通过SDA线输出，同时SCL线提供时钟信号以同步数据流。
-写入模式：写入模式下，用户可以将数据写入到AT93C46C的内存中。操作步骤包括发送写入命令、指定地址、数据传输等。由于EEPROM的特点，写入过程需要一定的时间，通常在10毫秒左右。
-擦除模式：相较于传统的闪存擦除，AT93C46C采用的是逐字节擦除方式，即可以选择特定的字节进行擦除操作。这意味着用户可以灵活地管道理存储区域，避免了完全擦除整个存储器的繁琐过程。
功能描述
AT93C46C可通过简单通用的线串行通信接口访问。设备操作由主处理器发出的七条指令控制。有效指令以CS的上升沿开始，由起始位（逻辑“1”）、适当的操作码和所需的内存地址位置组成。
READ（READ）：READ（READ）指令包含要读取的内存位置的地址码。在指令和地址被解码后，串行输出引脚DO上可以获得来自所选存储位置的数据。输出数据的变化与串行时钟SK的上升沿同步。应该注意的是，一位（逻辑“0”）在16位数据输出串之前。
擦除写入（EWEN）：为确保数据完整性，首次通电时，部件会自动进入擦除写入禁用（EWDS）状态。在执行任何编程指令之前，必须先执行擦除写入启用（EWEN）指令。请注意，一旦处于擦除写入启用状态，编程将保持启用状态，直到执行擦除写入禁用（EWDS）指令或从部件上移除VCC电源。
ERASE（ERASE）：ERASE（擦除）指令将指定内存位置中的所有位编程为逻辑“1”状态。一旦erase指令和地址被解码，自定时擦除周期就开始了。如果CS在保持低电平至少250ns（tCS）后变高，DO引脚输出零件的READYBUSY状态。引脚DO处的逻辑“1”表示所选内存位置已被擦除，该部分已准备好执行另一条指令。
WRITE（写入）：写入（写入）指令包含要写入指定内存位置的16位数据。在串行数据输入引脚DI接收到比较后一位数据后，自定时编程周期tWP开始。如果CS在保持低电平至少250ns（tCS）后变为高电平，DO引脚将输出零件的READYBUSY状态。DO处的逻辑“0”表示编程仍在进行中。逻辑“1”表示指定地址的内存位置已使用指令中包含的数据模式写入，并且该部分已准备好执行进一步的指令。如果CS在自定时编程周期tWP结束后变高，则法获得就绪忙碌状态。
全部擦除（ERAL）：全部擦除（ERASEALL）指令将内存阵列中的每个位编程为逻辑“1”状态，主要用于测试目的。如果CS在保持低电平至少250ns（tCS）后变高，DO引脚输出零件的READYBUSY状态。ERAL指令仅在VCC=50V±10%时有效。
全部写入（WRAL）：全部写入（WRAL）指令使用指令中指定的数据模式对所有内存位置进行编程。如果CS在保持低电平至少250ns（tCS）后变高，DO引脚输出零件的READYBUSY状态。WRAL指令仅在VCC=50V±10%时有效。
擦除写入禁用（EWDS）：为了防止意外的数据干扰，擦除写入停用（EWDS，ERASEWRITEDISABLE）指令禁用所有编程模式，应在所有编程操作后执行。READ指令的操作单独于EWEN和EWDS指令，可以随时执行。
编程与擦除
编程和擦除是EEPROM操作中比较关键的两个过程。每个存储单元在初始状态下均为逻辑‘1’。当编程时，存储单元中的电压会被调整至较高状态，电流流动导致特定位置的数据状态改变为‘0’。这一过程中，外部时钟信号的频率至关重要，它决定了数据转换的速率及其稳定性。
随着技术的不断进步，许多现代的EEPROM都支持多种编程模式，如页编程等。AT93C46C则主要依靠单一的操作模式，确保其简单的使用特性，适合于多种应用环境。
典型电路
在际应用中，AT93C46C的电路相对简单。通常情况下，一个基本的连接电路包含微控制器、EEPROM以及必要的外围元件，例如电阻和电源。通过配置微控制器的GPIO管道脚，用户可以通过SPI协议与EEPROM进行通信。
每个信号线的连接也要遵循一定的布局原则，以减少干扰和信号延迟。例如，SCK线应尽量缩短到比较小，以确保信号传输的稳定性。在PCB中，比较好使用地平面技术，以减小电源噪声对信号的影响。此外，考虑到数据传输的频率，通常会选择适当的电容为芯片供电，从而提高整体系统的可靠性。
案例研究：智能家居控制系统
以智能家居控制系统为例，AT93C46C可以存储用户的智能家居设备偏好设置。比如，用户希望在夜间自动调暗灯光并调整室温。系统通过EEPROM存储这些设置，在每次关机后，用户的偏好数据会被安全地保留。当系统再次启动时，会立即调用这些设置，让设备按用户设定的方式工作。
此情况下，用户只需通过手机脚本或控制面板进行设置，系统便会将这些数据写入到AT93C46C中。在房屋电力恢复时，设备会自动读取存储的信息，需手动重新配置，大大提升了用户体验。




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